技术干货｜芯片Latch up（闩锁）测试

   ;      闩锁效应是指在CMOS集成电路中寄生的PNP和NPN双极型晶体管相互影响而产生的一种低阻抗通路，从而产生大电流。由于正反馈作用，该状态会被持续维持（即“闩锁”），从而导致集成电路失效，严重时可能造成器件烧毁。

                                示意图                                                                              等效电路

Latch up标准及测试方法

常见测试标准

         JESD78与AEC-Q100-004

测试方法

         闩锁测试实际是通过电流脉冲激励于非电源（输入、输出、输入/输出等）管脚或者施加过电压脉冲于电源管脚来评估芯片抗闩锁效应的能力，即过电压测试V-test及过流测试I-test。

电源过电压测试V-test

•所有输出管脚置于悬空状态，输入、输入/输出管脚置于逻辑高电平，预置管脚置于固定状态。量测每个电源管脚电流。

•待测电源管脚施加电压触发。

•去除触发源对比前后电流变化。

•重复2-3测试每一个电源管脚并判断测试结果。

电源测试V-TEST

I/O测试I-TEST或E-TEST

•所有非待测输出管脚置于悬空状态，输入、输入/输出管脚置于逻辑高电平。预置管脚置于规定的固定状态。

•对待测管脚置于逻辑高状态。测量每个电源管脚电流，然后对待测管脚施加正向及负向触发电流或电压。

•去除触发源后，将被测管脚恢复到施加触发源之前的状态，测量每个电源管脚电流。

•重复2-3测试每一个待测管脚，并判断测试结果。

I/O正向电流测试 I-TEST

判断标准

•触发前电流绝对值小于25mA，触发后电流应小于触发前电流加10mA。

•触发前电流绝对值大于25mA，触发后电流应小于触发前电流的1.4倍。

•另外测试后漏电流过大、IV曲线严重偏移、功能失效等情况，均可判为失效。

测试结果判断

服务能力

         CTI华测检测半导体检测及分析中心（STC）可提供HANWA（HED-N5000）及 Thermo Fisher（MK2/MK4）测试及相应的硬件设计、制作服务。

HANWA HED-N5000                                                     Thermo Fisher  MK4