赋能尖端芯片分析：新引进Nano probe纳米探针设备投入使用

随着半导体工艺进入5nm及以下节点，市场对纳米级精准电性测量、高稳定性接触及多场景快速适配的需求日益迫切，传统探针技术已难以满足微纳尺度电性测量需求。

　　CTI华测检测半导体检测及分析中心日前引进了Imina Technologies推出的分立式纳米探针解决方案，以四自由度纳米级定位、厘米级运动范围和无与伦比的稳定性，为半导体行业客户提供更具性价比和性能优势的检测分析能力。

 

技术优势：重新定义检测精度与效率

精准定位与稳定接触

　　机台具备4个自由度的纳米定位分辨率，运动范围达厘米级，既满足大范围快速定位需求，又能实现纳米级精细控制。

　　其高刚度手臂设计确保优异的抗震性能，即使在最敏感的测量环境中也能保持稳定接触，为客户将去层与电性测试手段相结合提供更有力的支撑。

 

 

六大核心应用场景

 

纳米级失效分析：精准定位故障根源

　　Nano probe设备在失效分析领域表现卓越，能够精准定位集成电路中的纳米级缺陷。

　　适用于芯片金属连线的断路分析，晶体管栅氧层击穿定位，封装界面失效分析。

 

半导体器件特性分析：单器件级精准电性测量

　　支持单个晶体管和二极管的参数测试，为器件特性分析提供可靠数据支撑。能够精准接触微纳尺度器件，实现可靠的I-V曲线测量。

　　适用于SRAM位单元特性分析，通孔电阻率测量，漏电流特性分析。

　　

EBIC分析：可视化PN结特性

　　通过电子束诱导电流技术，能够实现PN结区的可视化分析，为器件性能评估提供直观依据。

　　适用于PN结区可视化及缺陷定位，偏压下样品电荷成像分析，离子注入可视化及分析。

　　

EBAC/RCI分析：布线故障精准诊断

　　在集成电路布线分析方面展现出卓越的故障定位能力，能够快速准确地识别开路、短路等布线缺陷。

　　适用于开路/电阻或短路缺陷定位分析，低电阻梯度分析。

　　

先进材料电性表征：新材料研究利器

　　支持多种新兴材料的电性测试，为新材料研究提供强有力的技术支撑。

　　适用于二维材料，纳米线器件，薄膜材料和纳米颗粒等。

　　

光电器件测试：全面性能评估

　　在光电器件测试领域，提供完整的测试解决方案，支持各类光电器件的性能表征。

　　适用于MicroLED光电特性，太阳能电池效率分析，光电探测器响应测试。

 

　　

核心技术参数

•纳米探针位移分辨率：0.02 nm(X/Y轴)，实现原子尺度的精准定位。

•纳米探针漂移速率：<1 nm/min，确保长时间测量的超强稳定性。

•纳米探针移动范围：粗调20 mm(X/Y轴)，细调250 nm(X/Y轴)，兼顾大范围寻址与精细操作。

•操作自由度：每支探针均具备4轴自由度(XYZ轴及旋转)，操控灵活。

•电气性能：±100V电压范围，100mA电流容量。

 

　　CTI华测检测依托先进的实验室与经验丰富的技术团队，致力于为行业客户提供全方位、高质量的半导体检测服务，助力企业精准定位问题、优化产品性能、提升可靠性。