深入微观世界，聚焦纳米尺度：CTI华测检测引进尖端Helios 5 UX FIB双束电镜系统

　　随着半导体、高端电子元器件及新材料向纳米尺度不断迈进，传统的分析方法正面临严峻挑战。如何对芯片内部的单个晶体管、材料深处的特定界面进行无损的“手术式”剖析与精准改性呢？

　　为突破传统分析手段的极限，CTI华测检测深圳电子材料与元器件实验室正式引进业界领先的Thermo Scientific Helios 5 UX DualBeam聚焦离子束/扫描电镜双束电镜系统（FIB-SEM）。这标志着我们在微纳尺度加工与分析领域的能力迈入全新阶段，将以“纳米级精度”和“原子级视野”，为客户提供失效分析、工艺解析与材料研究的终极解决方案。

 

　　Thermo Scientific Helios 5 UX DualBeam

 

　　FIB双束电镜

　　微纳世界的“切割刀”与“超高倍显微镜”

　　聚焦离子束（FIB）技术，如同在微观世界操刀的“手术刀”。它将离子束聚焦至极细，可对样品进行纳米级的定点切割、刻蚀与材料沉积。当它与超高分辨率的扫描电子显微镜（SEM）集成，便构成了强大的“双束电镜（DualBeam）系统”，得以在加工的同时，对同一位置进行实时、高清的观察与分析。

　　Thermo Scientific Helios 5 UX

　　设备核心亮点

　　本次CTI华测检测引进的Helios 5 UX是业界顶尖的第五代双束电镜，集多项创新技术于一身，旨在实现最高质量、最易操作的纳米级工作流程。

　　纳米级“无损伤”加工，打造完美样品

　　超低电压抛光

　　配备的新型Phoenix离子镜筒，可将加速电压降至低至500V，实现离子束的“精细抛光”，将样品表面损伤层控制在亚纳米级。这是制备超薄、无损伤透射电镜（TEM）样品的核心保障。

 

　　原子级分辨率成像，洞察材料本真

　　卓越的成像性能

　　搭载的Elstar场发射电子镜筒，在1kV低电压下分辨率达0.7nm，轻松应对不导电样品，获得无荷电伪影的高清表面细节。

　　智能成像辅助

　　创新的SmartAlign技术实现镜筒自动合轴，FLASH技术可将图像微调（聚焦、消像散）速度提升10倍，让任何经验水平的操作者都能快速获得优化图像。

 

　　电池催化剂高分辨率成像

　　赋能产业创新

　　CTI华测检测的解决方案

　　芯片与电子器件失效分析的“终极手段”

　　当产品发生异常，FIB可对失效点进行纳米级精确定位切割，暴露芯片内部的金属连线、晶体管结构或层间界面，结合能谱分析，精准定位短路、开路、腐蚀等失效根源，是破解高端芯片疑难杂症的“法医”，为找到失效根因提供无可辩驳的证据。

 

　　　微观缺陷FIB切割观察

 

　　材料与器件表面/横截面分析的“无损透视眼”

　　无需破坏样品整体结构，即可通过离子束逐层剥蚀，几乎无损地获取器件内部任意位置的横截面图像。可精确测量膜厚、分析缺陷分布、观察涂层结合界面，为工艺改进提供直观依据。

 

　　　　表面与横截面高分辨率成像

　　透射电镜样品制备的“精密手术刀”

　　能够从块体材料或特定微小区域（如单个失效焊点、特定晶粒）上，制备出厚度小于100纳米的超薄片。这是进行后续原子尺度结构、成分及缺陷分析的透射电镜（TEM）观测所必需的、最高质量的样品。

 

　　1.铝合金、2.LED显示屏、3.铜氧化物超导体Bi2212、4.SrTiO₃、5.催化过滤器、6.聚苯乙烯

 

　　TEM制样

　　选CTI华测检测

　　获一站式高端分析服务

　　Helios 5 UX FIB双束电镜的引入，是CTI华测检测持续加码尖端分析能力、赋能产业升级的又一重要举措。

　　CTI华测检测不仅拥有顶尖的设备，更具备专业的技术团队，能够深入理解客户在研发、生产、品控中遇到的核心痛点，提供从方案设计、样品制备、高端测试到数据分析与报告解读的全流程专业服务。

　　无论您面临何种微观世界的挑战，CTI华测检测愿以先进的装备与技术，成为您最可靠的“纳米之眼”与“精微之手”，共同探索未知，定义可靠。