当摩尔定律延伸至后摩尔时代,半导体产业正沿着两大路径同步突破:一方面,逻辑制程持续向更先进节点推进,晶体管尺寸不断微缩,FinFET、GAA等结构对失效分析的精度提出了极致要求,小尺寸的缺陷定位、逐层结构解析都需要更快更精准的去层技术支撑,传统制备方案已力不从心;另一方面,异构集成浪潮推动先进封装快速普及,2.5D/3D堆叠、CoWoS、HBM等技术成为主流,大面积结构的表征需求激增,传统表征方案受限于效率瓶颈,难以支撑批量、大区域的高分辨率统计分析。
为打通从先进封装结构表征到先进制程样品制备的全链条堵点,CTI华测检测特别推出本次PFIB与EBSD技术前沿研讨会,整合两大核心技术突破,分享面向半导体领域的高效精准表征解决方案。
本次研讨会特邀赛默飞和布鲁克技术专家亲临现场参与交流分享,带来技术原理拆解、一线案例分享与性能实测对比,不仅深入解析两大技术的核心优势,更会展示“PFIB定点制备+直接电子探测器EBSD高通量表征”的全流程协同方案。
诚挚邀请您拨冗莅临本次研讨会,与原厂技术专家及业内同仁一同交流技术、分享经验、共探发展。机会难得,期待与您相见!


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CTI华测检测诚邀您出席半导体高功耗芯片测试能力宣讲会
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随着汽车电子朝着智能化、信息化、网络化方向发展,汽车芯片正迎来新的发展机遇,车用芯片AEC-Q验证常遇到的问题有哪些?
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