直流偏置电压老化测试

CTI华测检测推出直流偏置电压老化一站式检测方案

多层片式陶瓷电容器(MLCC)是电子电路中用量最大、应用最广的被动元件之一,其可靠性直接影响整个电子设备的寿命和性能。随着5G通信、新能源汽车、人工智能等新兴领域的快速发展,市场对MLCC的可靠性和使用寿命提出了更为严苛的要求。然而,长期以来,直流偏置电压老化测试方法不统一,导致测试数据可比性差,或无法监控电容值的长期变化,导致下游选型困难,急需新的测试规范来评估MLCC的长期可靠性质量。

服务背景

关于多层片式陶瓷电容器(MLCC)

多层片式陶瓷电容器(MLCC)是电子电路中用量最大、应用最广的被动元件之一,其可靠性直接影响整个电子设备的寿命和性能。随着5G通信、新能源汽车、人工智能等新兴领域的快速发展,市场对MLCC的可靠性和使用寿命提出了更为严苛的要求。然而,长期以来,直流偏置电压老化测试方法不统一,导致测试数据可比性差,或无法监控电容值的长期变化,导致下游选型困难,急需新的测试规范来评估MLCC的长期可靠性质量。

直流偏置电压老化测试

直流偏置电压老化测试(简称为DC-Aging测试)是一种通过长期施加直流电压,模拟MLCC在实际工作条件下的容量性能退化行为的可靠性评估方法。

直流偏置电压老化测试核心原理是,在直流电压的持续作用下,MLCC内部的介电材料发生一系列微观结构变化,包括铁电畴的弛豫、氧空位迁移和缺陷以及晶格结构的微观演变,这一过程导致介电材料的自发极化强度降低,宏观上表现为电容值的降低。

直流偏置电压老化测试通过模拟MLCC在长期工作状态下的性能演变,评估其稳定性与寿命。测试过程中,定期测量电容值,并记录其随时间的变化情况,试验结果采用以时间的对数为横轴、电容值为纵轴的散点图呈现。通过拟合曲线,可以外推计算出MLCC在若干使用时长后的电容值,从而预测其长期电容值退化趋势。

直流偏置电压老化测试系统

设备能力与测试条件

1.检测范围

  • 电容容值C:1μF‒330μF
  • 介电损耗DF:0.01‒0.2

2.巡检和采集系统

  • 通道数:21独立通道,每通道1块老化板;每板10工位;合计21×10=210样品通道
  • 直流电压:0~40V,分辨率0.01V直流电流:0~3A,分辨率0.01A

适用标准

1.测试标准

  • T/CECA 112.1-2025表面安装多层陶瓷电容器(MLCC)电性能老化测试方法第1部分:直流偏置电压老化测试(2025-08-25发布,2025-08-28实施,中国电子元件行业协会)

2.引用/配套

  • GB/T 2421-2020
  • GB/T 6346.1-2024
  • GB/T 21041-2007(1类)
  • GB/T 21042-2007(2类)

样品要求

1.对象

  • 表面安装1类/2类MLCC,UR≤40V。这些电容器为无包封设计,带金属连接片或焊接带,主要应用于印制电路板(PCB)或在混合电路上的直接安装。

2.数量

  • 每规格分3组(0V/0.3UR/0.6UR),每组不少于5只。

3.预处理

  • 150℃以上烘烤1h→标准大气自然降温→放置24±1h→初测筛选合格样。

4.信息提供

  • 标称容量、额定电压、介质类别、尺寸、目标试验温度等。

结果体现

各测量参数在不同时间的采集结果,并以快速衰减期结束后首点为拟合起点、末点为终点,按Y=a·lgX+b最小二乘拟合,将任一时间X代入公式中,可以获得该时间下的电容值预测值Y。

服务优势

专业聚焦,经验深厚:拥有专业的材料、物理与失效分析团队,深耕电子元器件可靠性领域,具备深厚的失效分析经验。

能力矩阵完备:提供从电性能、可靠性、真伪鉴定到深度失效分析的一站式解决方案,测试能力覆盖全生命周期。

设备先进,数据权威:依托工业CT、SEM、FIB、EDS等高端微观分析设备及精密电性能测试仪器,确保数据准确可靠。

价值超越测试:不仅提供检测报告,更能通过失效根因分析,为客户的产品迭代、工艺改进和质量提升提供直接、有效的依据。

服务网络广泛:作为通过CMA/CNAS认可的实验室,服务网络遍布全球,报告具有国际公信力。

服务流程

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