产能再升级｜CTI华测蔚思博半导体RA实验室独有MCC HPB-4B 600W超高功率老化测试能力持续扩充

AI算力、数据中心、车载域控及新能源功率半导体产业高速发展，GPU、DPU、大尺寸SoC等芯片持续向超高功耗、高引脚、高集成演进。HTOL高温老化测试作为量产关键验证环节，长期受制于高端设备资源紧张、排期周期长，成为芯片企业的核心瓶颈。

为响应市场激增的测试需求，CTI华测检测金桥RA实验室完成产能升级，在原有两台MCC HPB-4B平台基础上新增第三台设备，进一步强化超高功率芯片老化测试的承接能力。

 

MCC HPB-4B同步投产：构筑国内稀缺600W超高功率产能集群

　　该设备是全球超高功耗芯片老化领域的标杆性水冷测试平台，可稳定承载600W级芯片的长期高温负载测试，且设备采购渠道稀缺。本次第三台落地后，CTI华测检测金桥RA实验室凭借三台HPB-4B并行测试的独家硬件优势，彻底解决高功耗算力芯片测试排队、产能不足的行业痛点。

 

 

MCC HPB-4B核心硬核性能参数

• 极限功耗承载

　　最高支持600W单芯片满负载运行，可稳定复现520W、480W等算力芯片真实满载工况；搭载独立密闭水冷散热系统，区别于传统气冷方案，可精准控制芯片结温，杜绝高负载长时间测试下热漂移、热失控问题，最高适配150℃高温老化工况。

• 超大并行测试规模

　　单台可配备14张BIB老化板，搭配19组可编程大功率电源，适配LGA、大尺寸BGA、2.5D/3D堆叠等各类高端算力芯片。

• 高精度实时监测系统

　　多路片上温度传感器同步采集，毫秒级记录功耗、壳温、结温、电压、电流全维度数据；独立通道故障隔离设计，单颗样品失效不会中断整板乃至整机试验，保障上千小时长周期老化稳定运行。

 

三机组并行带来核心产能优势

• 产能扩容，大幅缩短排期

　　原有两台HPB-4B已长期满负荷承接算力芯片HTOL、BI老化项目，新增第三台设备后，超高功率芯片同时上机容量直接提升35%，大批量研发样品、量产筛选订单可快速排期，无需长期等待上机。

• 项目分区并行，互不干扰

　　三台设备可实现客户项目分区隔离，研发验证小批量样品、量产大批量筛选订单、车规长周期加速老化试验可同步开展，不同功耗、不同封装规格芯片分开上机，调试、测试流程互不冲突，交付效率显著提升。

• 成熟工艺经验复用，数据一致性拉满

　　三台设备硬件规格、调试标准、散热方案、压合管控流程完全统一，实验室前期依托两台设备累计80+批次超高功率芯片实测经验，成熟标准化作业流程可直接复刻至新设备，125℃高温极限工况下的功耗、结温管控体系成熟，所有设备输出测试数据精准、稳定、可横向对比追溯。

 

进口三机组+国产全梯度设备矩阵：覆盖全功率段芯片测试需求

　　依托三台MCC HPB-4B旗舰水冷平台，搭配实验室全系列国产老化设备，形成50W~600W全覆盖分层测试体系，兼顾高端极限算力芯片高稳定验证需求与中小功耗芯片高性价比量产筛选需求，响应半导体产业链自主可控发展战略。

 

 

全流程标准化管控体系：保障超高功率芯片测试权威公信力

　　超高功率芯片测试核心难点集中在高温高负载下散热平衡、动态结温管控、标准化压合三大维度，CTI华测检测统一搭建标准化运营管控体系，从源头规避测试偏差，确保每一组数据具备第三方权威效力。

定制化水冷散热+动态结温管控

• 统一标准化压合作业规范

　　制定适用于高功耗Socket的标准化压合力度流程，配套压力监测工装，三台设备执行完全一致的操作标准，杜绝接触不良、电流漂移、功耗异常等问题，支撑数千小时不间断老化试验。

• 全链路数据闭环存档管理

　　样品建档、治具匹配、程序调试、上机老化、数据采集、报告输出全流程留痕；三台HPB-4B设备独立存储原始功耗、温度、时序、失效记录，数据永久存档，可出具具备行业公信力的完整可靠性检测报告，直接用于芯片研发迭代、车规认证、量产申报。

 

产业布局展望：打造长三角头部超高功率芯片验证产能枢纽

　　未来，CTI华测检测金桥RA实验室将持续优化三台HPB-4B机组协同调度方案，扩充专业老化测试团队，为国内芯片设计、封测、新能源、汽车电子企业提供更大容量、更快交付、更高性价比的一站式可靠性解决方案，携手产业链伙伴抢抓算力产业发展机遇，助力国产超高功率芯片实现技术突破与规模化落地。

　　CTI华测检测拥有专业的测试实验室与资深技术团队，布局进口与国产双重测试设备矩阵，可满足消费级、工业级、车规级及超高功率半导体芯片的全维度可靠性验证需求，为半导体产业链提供高公信力、高可靠性的测试服务与技术支撑，助力半导体产业高质量发展。相关服务直达：芯片半导体测试