FIB双束聚焦离子束测试

服务背景

双束聚焦离子束（Dual Beam-FIB）是微纳加工中不可或缺的仪器，集成了非常多的功能，包括离子束（切割、成像）、电子束（高分辨成像）、GIS气体注入系统（沉积C、W、Pt或者IEE等辅助刻蚀气体）、EasyLift纳米机械手（制备TEM样品）、EDS能谱（检测物质成分）、EBSD电子背散射衍射（获取样品晶体学信息）等。

FIB双束聚焦离子束测试

CTI华测检测为了更好地满足半导体行业客户的FIB需求，协助更多的客户解决在芯片设计与生产中遇到的各类问题，配备了目前已经量产交付的DB-FIB中最先进的Helios G5-UX，可以完成目前主流5nm及以下节点制程的分析，独有的“Phoenix”低电压离子束可以显著提高低电压状态下的离子束分辨率，同时可以有效减少大束流减薄过程中带来的损伤，非晶层厚度最薄可以达到大约0.5nm。既可以保证样品足够薄（20~30nm），又极大程度上避免了样品非晶化的风险，使得制备超薄样品的难度大大降低。

适用产品

通过高精度离子束实现对各种半导体器件及材料样品的切割、沉积、成像和样品制备，主要应用于半导体及各种材料的切割、观察、TEM样品制备、芯片线路修改等。

检测周期

常规：3个工作日。

注:如需加急请咨询客服。

服务流程