芯片洞察再添利器｜CTI华测检测正式引入PFIB设备，现已投入使用！-CTI华测检测官方商城

　　在材料分析与半导体失效分析的微观战场上，ag真人平台官方始终追求“看得更清、加工更快”。然而，面对日趋复杂的样品，传统镓离子束聚焦离子束（Ga-FIB）逐渐显露短板：大体积切割耗时冗长，镓离子注入易对敏感样品造成污染和损伤，制约着分析深度和效率。

　　为突破这一瓶颈，CTI华测检测近日正式引入新一代“微观重器”——等离子体聚焦离子束（PFIB），现已全面投入使用！

　　实验室最新引进的[Helios 5 PFIB CXe]等离子体聚焦离子束双束系统，配备高亮度氙气等离子体离子源。

　　PFIB，全称Plasma Focused Ion Beam（等离子体聚焦离子束）。

　　与传统使用液态金属镓（Ga）作为离子源不同，PFIB采用电感耦合等离子体（ICP）技术，以氙气（Xe）为原料产生高亮度、高束流的氙离子（Xe⁺）。

　　简单来说，它就是把传统FIB的“镓手术刀”换成了更强劲、更纯净的“氙离子工业刀具”。

　　为直观感受它的强大，ag真人平台官方从三个维度来看它与传统镓离子FIB的核心区别：

切割效率：从“精雕细琢”到“开山劈石”

　　FIB(Ga⁺)：像一个精密的雕刻刀，适合微纳加工，但一旦需要切一个大横截面或制备多个TEM样品，往往要跑十几个小时甚至通宵。

　　PFIB(Xe⁺)：像一个高效的“微观挖掘机”。氙离子质量大、束流强（可达μA级别），溅射速率极高。材料去除率可达传统FIB(Ga⁺)的20倍以上。

纯净度：彻底告别“镓污染”

　　对于半导体、铝合金或某些敏感材料来说，“镓”是一个让人又爱又恨的污染源。传统FIB在切割时会不可逆地将镓离子注入样品表层（通常在20-40nm深度），可能改变材料的电学性能或产生非晶层。

　　FIB(Ga⁺)：存在镓注入效应，影响EBSD分析精度和TEM薄片的真实性。

　　PFIB(Xe⁺)：完全无镓！氙离子是惰性气体，不会与样品发生化学反应，也不会注入样品内部改变材料特性。看到的就是真实的本征结构。

质量：超大面积的平整截面

　　当你要看电池极片、多层PCB板、做高精度EBSD时，一个大面积、平整、无窗帘效应的截面是刚需。

　　FIB(Ga⁺)：随着切割面积增大，平整度下降，异质材料界面容易出现条纹伪影（窗帘效应）。

　　PFIB(Xe⁺)：可轻松处理毫米级别的横截面，切割面平滑，成像质量高，特别适合大尺度统计性分析。

　　配备氙离子源PFIB设备，其技术优势将在以下场景中得以充分体现：

半导体失效分析：针对3D NAND、先进封装、功率器件，快速制备大面积横截面，定位物理失效点。

金属材料或化合物半导体（尤其对镓敏感者）：无镓污染的高质量TEM样品制备，以及大视场EBSD晶粒取向统计。

电池研究：对整个极片层进行大体积切割，观察电极内部的孔隙分布、锂析出形态、界面接触。

复合材料：碳纤维复合材料、陶瓷基复合材料的大体积三维重构（3D Tomography）。

　　CTI华测检测依托无镓污染、超高溅射速率及大面积平整加工等技术优势，面向半导体、金属材料、新能源电池及复合材料等行业，提供专业芯片半导体检测与分析服务。